Introduction

• 온도 상승으로 인한 시스템 에러 방지, 전력용량 증가에 따른 효율적 방열 시스템 필요 등 4차산업에서 열관리 기술의 필요성과 중요성은 점점 더 커지고 있음
• Plasma 이온빔 표면처리로 세라믹 표면을 개질하여 금속과의 화학결합 구조를 형성하고 Interlayer 형성을 통한 이종소재간 밀착력 향상 구현을 할 수 있게 만들어주는 당사 고유 기술 개발을 통해 방열기판 특성 구현

Application

• EV/HEV의 파워트레인
• 첨단 IT 관련 기기
• LED 모듈
• 전력반도체

Spec(CMB)

기준시점: 2Q25

항목	절연재료		Remark
	AlN	Si3N4
열전도도	170 W/m·K(Room Temp)	90 W/m·K(Room Temp)	ASTM-E1461
열팽창계수	4.6 10-6 K(~400°C)	2.6 10-6 K(~400°C)
절연층 두께	0.38 / 0.635 / 1.0 mm	0.25 / 0.32 mm
회로층, 방열층 두께	0.3 / 0.5 / 0.8 / 1.0 mm
박리 강도	50 N/cm 이상		JIS C 6481
열충격 시험	2,000회 이상, -40°C⇔125°C		JESD22-A104
접합면적	95% 이상
내전압 시험	15 kV/mm 이상(디바이스)		ASTM-D149
제품형태	Unpatterned or Patterned Master card type
제품 사이즈	4.5"x4.5" / 5.5"x7.5"

Spec(IMS PCB)

기준시점: 2Q25

항목	절연재료	Remark
	Thermal Conductive Sheet(열전도 접착 시트)
열전도도	10 W/m·K 이상(Room Temp)	ASTM-E1461
절연층 두께	0.12 ~ 2.0 mm
방열층 두께	0.035 ~ 4.0 mm
회로층 두께	0.035 ~ 1.0 mm
박리 강도	5 or 10 N/cm 이상	JIS C 6481
열충격 시험	2,000회 이상, -40°C⇔125°C	JESD22-A104
접합면적	99% 이상
내전압 시험	45 or 60 kV/mm 이상	ASTM-D149
제품형태	Unpatterned or Patterned Master Card Type Intergrated Base Plate & Heat Sink(Pin-Fin)
제품 사이즈	300 x 400mm(Regular)	Negotiable

Introduction

• Glass/Metal Layer의 우수한 Metallization과 TGV(Through-Glass-Via) Filling 기술을 통한 고정밀 고집적 고성능 기판
• Plasma 이온빔 표면처리를 통한 Glass/금속과의 화합결합(Dangling Bond) 구조를 형성하고 Interlayer 형성을 통한 이종소재간 밀착력 향상 구현을 할 수 있게 만들어주는 당사 고유기술 개발을 통해 Metallization Glass 기판 특성 구현

Application

• AI-HPC 반도체 패키징
• 고주파 통신
• 차량용 레이더
• 광통신-광전자 패키징

Spec

기준시점: 2Q25

항목		내용	Remark
Glass Spec.	종류	Borosilicate / Boro-Aluminosilicate / Quartz 등
	CTE	3~9 (0-300 ℃, ×10-6/℃)
	계면 조도	< 20 ㎚
	두께	~ 1,500 ㎛
	TGV Ø (Through-Glass Via)	~ 100 ㎛
Metal Layer Spec.		10 ㎛ 이하
박리강도		7 N/cm 이상
미세 회로 (Line/Space)		Min. 10/10 ㎛	Line/Space = 5 ㎛/5 ㎛ 이하 테스트 예정
열충격시험		3,000회, Delamination 미발생	L/S = 10/10 ㎛ 1cycle(15min) : -40℃~125℃
Through-Glass Via(TGV) Conformal & Filling Aspect Ratio		1 : 5
제품 사이즈		510 x 515 mm
HAST TEST(130℃, 85%, 96hr)		HAST Test전,후 8N/cm 박리강도 변화 없음

Introduction

• FCCL(Flexible Copper Clad Layer, 연성동박적층필름)은 유연하게 구부러지는 회로 기판으로 최근 전자기기의 소형화, 경량화로 수요가 증가하고 있음
• 소재 특성상 금속과 접착이 어려운 불소수지(PTFE) 등을 활용하여 초고주파 무선통신(5G, 6G)영역에서 신호손실이 낮은 FCCL 소재 적용
• 낮은 유전율과 고분자 소재 중 가장 낮은 신호손실, 높은 사용온도, 낮은 흡습율의 특징 보유

Application

• 자율주행 자동차
• 사물 인터넷
• 웨어러블 디바이스
• 3D/홀로그램
• 우주/항공

Spec

기준시점: 2Q25

구분	유전율	유전손실	접착력	흡습율	내전압성	내화학성
PTFE	2.1	0.0003	낮음	0.01	양호	매우우수
PFA	2.1	0.0009	낮음	0.01	양호	매우우수
Modified PI	2.7	0.0028	우수	0.6	우수	우수
LCP	3.1	0.002	양호	0.04	우수	우수
C&G 저유전소재	2.53	0.003	양호	0.3	양호	우수

제조공정		Hot laminating		Sputtering +Electroplating
Cu 두께	㎛	1.5~3.0(극박+캐리어박) 12(ED foil)		~12㎛
유전체두께	㎛	55, 65, 75, 100	25, 50, 100	~50
유전체 종류		C&G 저유전소재	LCP (Liquid Crystal Polymer)	MPI (Modified Polyimide)
기계적 특성	인장강도(Mpa)	330	110	200
	연신율(%)	50	26	30
	인장탄성률(Gpa)	3	3.2	-
전기적 특성	내전압성(IEC60243-1) kV/mm	60~70	200	200
	유전율(Dk)	2.53(25℃, 28Ghz)	3.3(25℃, 28Ghz)	3.4(25℃, 15Ghz)
	신호감쇠(Df)	0.003(25℃, 28Ghz)	0.002(25℃, 28Ghz)	0.0029(25℃, 15Ghz)
접착력	열처리 전	7N/cm ↑ (Cu 두께 12㎛)	7N/cm ↑ (Cu 두께 15㎛)	7N/cm ↑ (Cu 두께 12㎛)
	Solder float test (288℃/10sec/6cycle)	6N/cm ↑ (Cu 두께 12㎛)	7N/cm ↑ (Cu 두께 15㎛)	7N/cm ↑ (Cu 두께 12㎛)
	HAST (121℃/RH100%/96hr)	6N/cm ↑ (Cu 두께 12㎛)	-	-
CTE(ppm/℃)		8이하	18	25
흡습율(%)		0.3	0.04	0.5
Solder heat resistance (Solder float test, IPC TM 650 2.4.13)		Pass (288℃, 2min)

* 상기 외 다양한 플라스틱 film에 증착/도금 가공 가능

Introduction

• 나노입자 활용의 기술적 문제점(생산성, 균일성, 분산성)을 해결한 차세대 기술
• 화학약품 사용 없이 플라즈마 기술을 이용하여 친환경적인 나노입자 제조 가능
• 고분자 펠릿 또는 화합물 분말을 담체(Carrier)로 하여 담체 표면에 금속 나노입자 형성
• 담체 고유 특성에 금속 나노입자의 기능성을 부가하여 다양한 응용 분야에 적용 가능

Application

• 자동차, 선박 : 방오 도료, 방청 도료, 기능성 플라스틱
• 전기, 전자 : 전도성 고분자, 방열 재료, 전자파 차폐
• 농업, 어업 : 비료 첨가제, 양식용 첨가제, 토양 복원
• 의료 : CT/MRI용 조영제, 방사선 차폐, UV 차단
• 기능성 소재 : 기능성 포장재, 항균 필터, 항균 시멘트, 천연 방부제

Introduction

• 전도성 소재인 탄소계 필러와 고분자를 융합한 탄소융합소재
• 금속 대비 가벼운 무게, 증가한 내부식성
• 펠렛으로 제조되어 다양한 형태, 크기로 제품 및 부품 제작 가능
• 소재 함량에 따라 다양한 특성의 소재 개발 가능

Application

• 조명 모듈
• UAM 경량화 부품
• 방열 하우징, 방열 구조체 및 프레임
• 디스플레이
• 특성화 플라스틱 등